| 标准名称： | 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 |
| 英文名称： | Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2011-01-10 |
| 实施日期： | 2011-10-01 |
| 首发日期： | 2011-01-10 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： | 有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司 |
| 起草人： | 曹孜、孙燕、黄黎、高英、石宇、楼春兰、王世进、张静雯 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2011-10-01 |
| 页数： | 28页 |
本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下,本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。
没有内容
前言 Ⅲ 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 检测方法概述 2 5 干扰因素 3 6 设备 4 7 试剂 5 8 取样及样片制备 5 9 测试步骤 7 10 报告 8 11 精密度和偏差 8 附录A (规范性附录) 注入水平的修正 9 附录B(资料性附录) 注入水平的相关探讨 10 附录C (资料性附录) 载流子复合寿命与温度的关系 13 附录D (资料性附录) 少数载流子复合寿命 16 附录E (资料性附录) 测试方法目的和精密度 19 参考文献 20
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